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一些模拟电子技术的基础知识

一、布局及类型

半导体按材料主要可分为硅管和锗管,其布局如下图示(箭头偏向即为电流偏向)

二、伏安特点

其伏安特点曲线如下图示,

正向特点:1. 逝世区电压大年夜小与材质有关,此中Si是0.5V,Ge是0.1V

正向管压降:Si是0.7V,Ge是0.3V

反向特点:IuIu(击穿),i反向增大年夜

三、孕育发生击穿道理

前提:半导体的掺杂浓度高,空间电荷区有较强电场,其类型可分为齐纳和雪崩齐纳特征:击穿电压低于4V,击穿电压具有负的温度系数(即温度越高,所需电压越小)雪崩特征:IuI>6V,具有正的温度系数         四、温度对机能影响1.温度升高,逝世区电压、正向管压降下降2.温度升高,少子浓度增大年夜,反向饱和电流增大年夜

五、常用线性模型1.抱负模型:U>0,D导通,两端电压看做0V,视为短路 UUf,D导通,Ud=Uf,D视为恒压源(Uf)U0,Dz导通,视为短路2.U

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